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開催日 2024/08/05 (月) 開催地 WEB配信型ライブセミナー

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新しいパワー半導体材料 二酸化ゲルマニウムの特徴と可能性【Webセミナー】

主催 S&T出版株式会社 講師 金子健太郎 受講料 31,900円   

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　昨今、パワー半導体業界には新材料による新たな市場形成が始まっています。例えばSiCはこの10年間の大幅な低価格化により徐々に市場に浸透し始めており、高周波デバイス用途ではGaNが絶対的な地位を築こうとしています。そして近い将来、SiCやGaNより大きなバンドギャップをもつより高性能なデバイスが必要になります。しかし、新材料が市場で受け入れられるには厳しい条件をクリアしなければいけません。それは①基板、薄膜、加工のコストが低い、②SiCやGaNよりも優れた低損失性、③p型とn型のドーピング手法による作製の実現性、の3つが基本条件です。本セミナーではその条件をクリアし、候補材料となり得る新しいパワー半導体材料であるルチル構造二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)の物性や作製手法についてお話をします。
開催日時 2024/08/05 (月)     13:00～ 15:00    

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申込み期間  ～ 2024/08/02
主催会社 S&T出版株式会社
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定員 定員数の上限はございません
受講料 割引 31,900円 (Eメール案内希望の方向けの割引価格です）
開講場所 ・会場名：　本セミナーは、WEB配信のセミナーです。会場受講はございません。
・住所：　　　
・交通アクセス：　
講師
金子健太郎 講師写真

金子健太郎  （カネコケンタロウ）
立命館大学 総合科学技術研究機構 教授 RARAフェロー
カリキュラム、
プログラム		 1.　SiC、GaNの今後の動向

2.　新しいパワーデバイス材料、二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)の可能性
　2-1　r-GeO2の可能性
　　　・バンドギャップ4.6 eV
　　　・p型とn型が作製可能(理論予測)
　　　・高い移動度、安価に基板作製可能
　2-2　なぜ、r-GeO2の薄膜合成は困難なのか？
　2-3　r-GeO2厚膜の合成
　2-4　r-GeO2混晶
　2-5　世界のr-GeO2研究
特典 割引 割引有 
お知らせ ＜禁止事項＞
セミナーで共有・公開・配布される資料、講演内容の静止画、動画、音声のコピー・複製・記録媒体への保存を禁止いたします。
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