| 開催日時 |
2024/07/01
(月)
10:30～
16:30
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| 申込み期間 |
～ 2024/06/30
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| 主催会社 |
S&T出版株式会社
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| 定員 |
定員数の上限はございません
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| 受講料 |
 46,200円 (Eメール案内希望の方向けの割引価格です） |
| 開講場所 |
・会場名： 本セミナーは、WEB配信のセミナーです。会場受講はございません。
・住所：
・交通アクセス：
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| 講師 |
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大谷昇 （オオタニノボル）
関西学院大学 工学部 教授
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坂本貴史 （サカモトタカシ）
(株)ドッツ スマートモビリティ事業推進室 室長 -
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滝川満 （タキガワミツル）
ホシデン(株) 表示部品生産統括部 統括部長 兼
ホシデンエフディ(株) 取締役工場長 -
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カリキュラム、
プログラム |
【10:30～12:00】 SiCパワー半導体開発の現状
1. SiCパワー半導体開発の背景
1.1. 環境・エネルギー技術としての位置付け
1.2. SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト
2. SiCパワー半導体開発の歴史
2.1. SiCパワー半導体開発の黎明期
2.2. SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー
3. SiCパワー半導体開発の現状と動向
3.1. SiCパワー半導体の市場
3.2. SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
3.3. SiCパワー半導体関連の最近のニュース
4. SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
4.1. SiC単結晶とは？
4.2. SiC単結晶の物性と特長
4.3. SiC単結晶の各種デバイス応用
5. SiCパワーデバイスの最近の進展
5.1. SiCパワーデバイスの特長
5.2. SiCパワーデバイス（SBD、MOSFET）の現状
5.3. SiCパワーデバイスのシステム応用
【12:00～13:00】 昼食休憩
【13:00～14:30】 SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望
6. SiC単結晶のバルク結晶成長
6.1. SiC単結晶成長の熱力学
6.2. 昇華再結晶法
6.3. 溶液成長法
6.4. 高温CVD法（ガス法）
6.5. その他成長法
7. SiC単結晶ウェハの加工技術
7.1. SiC単結晶ウェハの加工プロセス
7.2. SiC単結晶の切断技術
7.3. SiC単結晶ウェハの研磨技術
8. SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
8.1. SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
8.2. SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向
【14:30～14:40】 休憩
【14:40～16:10】 SiC単結晶ウェハ製造の技術課題
9. SiC単結晶のポリタイプ制御
9.1. SiC単結晶のポリタイプ現象
9.2. 各種ポリタイプの特性
9.3. SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御
10. SiC単結晶中の拡張欠陥
10.1. 各種拡張欠陥の分類
10.2. 拡張欠陥の評価法
11. SiC単結晶のウェハ加工
11.1. ウェハ加工の技術課題
11.2. ウェハ加工技術の現状
12. SiCエピタキシャル薄膜成長
12.1. エピタキシャル薄膜成長の技術課題
12.2. エピタキシャル薄膜成長技術の現状
13. SiC単結晶ウェハの電気特性制御
13.1. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
13.2. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状
14. SiC単結晶ウェハの高品質化
14.1. マイクロパイプ欠陥の低減
14.2. 貫通転位の低減
14.3. 基底面転位の低減
15. まとめ
【16:10～16:30】 質疑応答
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| 特典 |
割引有
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| お知らせ |
＜禁止事項＞
セミナーで共有・公開・配布される資料、講演内容の静止画、動画、音声のコピー・複製・記録媒体への保存を禁止いたします。
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