SiCウェハ表面の構造・形態制御と超平坦化技術【Live配信セミナー】

株式会社　技術情報協会乗松航氏 49,500円

★デバイス特性に影響を及ぼす半導体表面の形態制御方法を学ぶ
★SiCウェハ表面を原子レベルで平坦にする新技術も詳解

セミナーの対象者はこんな方です

・SiCの結晶構造および表面形態の基礎
・SiC半導体表面形態の制御技術
・SiC表面におけるステップバンチング・アンバンチングとそのメカニズム

会場

講師

プログラム

特典

お知らせ

開催日時

2024/07/11 (木) 13:00～ 16:30

他の開催日・開催場所（同じ都道府県内）で探す

申込み期間

～ 2024/07/10

主催会社

株式会社　技術情報協会

この主催会社の他の最新セミナーを見る

定員

30名

受講料

49,500円 (税込／各種割引については下段「お知らせ」欄をご参照ください）

開講場所

・会場名：　ZOOMを利用したLive配信
・住所：　※会場での講義は行いません　
・交通アクセス：　

講師

乗松航氏: 早稲田大学　基幹理工学部　電子物理システム学科　教授

カリキュラム、
プログラム

SiCはパワーデバイス材料としての利用が急速に進んでいる。SiCの表面は、シリコンと炭素からなる高さ0.25 nmの層が積層した構造を持ち、表面の段差はその最小単位が0.25 nmとなる。このような段差をステップと呼び、ステップを含む表面形態の制御はデバイス特性に大きな影響を及ぼす。本講演では、SiCの構造・表面形態やその制御技術について述べた後、ステップバンチング現象と結晶成長、SiC表面におけるグラフェンやカーボンナノチューブの作製、ステップアンバンチング現象などについて紹介する。これらの現象や技術は、原子レベルで平坦な表面を効率的に得る技術として期待される。

１．半導体の結晶構造と表面形態
　1.1 半導体の結晶構造とバンドギャップ
　1.2 SiCの結晶構造とSiCパワーデバイス
　1.3 SiCの結晶学的方位とステップ・テラス構造
　1.4 結晶成長と表面形態

２．半導体表面形態制御方法
　2.1 機械研磨と化学機械研磨（CMP）
　2.2 酸化膜形成とフッ化水素酸によるその除去
　2.3 水素エッチング
　2.4 ステップバンチング現象
　2.5 SiCにおける2種類のステップバンチングとそのメカニズム

３．SiC表面へのグラフェン成長とステップバンチング
　3.1 SiC熱分解法によるグラフェン・カーボンナノチューブの成長
　3.2 SiCの結晶学的方位によるグラフェン成長の関係
　3.3 SiC表面形態とグラフェン電子物性の関係
　3.4 ステップバンチングに及ぼすグラフェンの影響

４．SiC表面のステップアンバンチング現象
　4.1 SiC表面のステップバンチング
　4.2 SiC表面のステップアンバンチング
　4.3 アンバンチングメカニズムの考察
　4.4 ステップアンバンチング現象の応用展開

特典

セミナー資料付、質疑応答時間あり。

セミナー参加費
支払い方法

1. 銀行振込または現金書留にてお願いいたします。

2. 原則として開催日までにお願い致します。

3. 銀行振込の場合は、原則として領収証の発行は致しません。

4. 振り込み手数料はご負担ください。

お知らせ

●各種割引について
1. 同一テーマ1社2名以上同時申込の場合のみ、1名につき5,500円（税込）割引いたします。
2. 大学（教員、学生）、公的機関、医療機関の方は、アカデミック価格33,000円/1名（税込）でご参加できます。（2名同時申込割引は適用されません）
割引適用の場合は、お申し込み後、弊社より確認のご連絡を差し上げます。

●Live配信セミナーの受講について
・ Zoom公式サイトで視聴環境を確認の上、お申し込みください。
・開催日前に、視聴用URLとパスワードをメールにてご連絡申し上げます。
・セミナー配布資料は郵送いたします。お申込みが直前の場合、資料の到着が間に合わないことがあります。
・本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。
・本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。
・ Zoomのグループにパスワードを設定しています。部外者の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。