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開催日 2025/04/10 (木) 開催地 WEB配信型ライブセミナー

半導体ウェハの製造プロセスと欠陥制御技術【Live配信セミナー】

主催 株式会社 技術情報協会 講師 大谷 昇 氏 受講料 55,000円   

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★ SiCウェハ加工の技術課題は? 切断、研磨、、、製造プロセスの技術動向を詳解!

このセミナーを受講すると、こんなスキルが身につきます

・SiCパワー半導体に関する基礎知識
・SiCパワー半導体の開発・ビジネスの概況
・SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識
・SiC単結晶ウェハの開発・ビジネスの概況

セミナーの対象者はこんな方です

商社、エンジニアリングメーカー、エンジンメーカー、工業炉メーカー、半導体材料・加工・装置・デバイスメーカーの技術者・技術企画担当者・営業担当者、電気自動車を開発している或いは電気自動車関連の技術に興味のある企業の技術者・技術企画担当者・営業担当者、商社マン
開催日時 2025/04/10 (木)     10:30~ 16:30     (受付  10:00 ~ )

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申込み期間  ~ 2025/04/09
主催会社 株式会社 技術情報協会
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定員 30名
受講料 55,000円 (税込/各種割引については下段「お知らせ」欄をご参照ください)
開講場所 ・会場名: ZOOMを利用したLive配信
・住所: ※会場での講義は行いません 
・交通アクセス: 
講師
大谷 昇 氏 講師写真

大谷 昇 氏

関西学院大学 工学部 教授 Ph. D.

カリキュラム、
プログラム
【講座概要】
 本講演では、EV用パワー半導体として大きな注目が集まっているSiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開を分かり易く説明します。

【受講後、習得できること】
・SiCパワー半導体に関する基礎知識
・SiCパワー半導体の開発・ビジネスの概況
・SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識
・SiC単結晶ウェハの開発・ビジネスの概況

【受講対象】
商社、エンジニアリングメーカー、エンジンメーカー、工業炉メーカー、半導体材料・加工・装置・デバイスメーカーの技術者・技術企画担当者・営業担当者、電気自動車を開発している或いは電気自動車関連の技術に興味のある企業の技術者・技術企画担当者・営業担当者、商社マン

【プログラム】
【第一部】SiCパワー半導体開発の現状
1.SiCパワー半導体開発の背景
 1.1 環境・エネルギー技術としての位置付け
 1.2 SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト

2.SiCパワー半導体開発の歴史
 2.1 SiCパワー半導体開発の黎明期
 2.2 SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー

3.SiCパワー半導体開発の現状と動向
 3.1 SiCパワー半導体の市場
 3.2 SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
 3.3 SiCパワー半導体関連の最近のニュース

4.SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
 4.1 SiC単結晶とは?
 4.2 SiC単結晶の物性と特長
 4.3 SiC単結晶の各種デバイス応用

5.SiCパワーデバイスの最近の進展
 5.1 SiCパワーデバイスの特長
 5.2 SiCパワーデバイス(SBD、MOSFET)の現状
 5.3 SiCパワーデバイスのシステム応用

【第二部】SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望
6.SiC単結晶のバルク結晶成長
 6.1 SiC単結晶成長の熱力学
 6.2 昇華再結晶法
 6.3 溶液成長法
 6.4 高温CVD法(ガス法)
 6.5 その他成長法

7.SiC単結晶ウェハの加工技術
 7.1 SiC単結晶ウェハの加工プロセス
 7.2 SiC単結晶の切断技術
 7.3 SiC単結晶ウェハの研磨技術

8.SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
 8.1 SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
 8.2 SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向

【第三部】SiC単結晶ウェハ製造の技術課題
9. SiC単結晶のポリタイプ制御
 9.1 SiC単結晶のポリタイプ現象
 9.2 各種ポリタイプの特性
 9.3 SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御

10.SiC単結晶中の拡張欠陥
 10.1 各種拡張欠陥の分類
 10.2 拡張欠陥の評価法

11.SiC単結晶のウェハ加工
 11.1 ウェハ加工の技術課題
 11.2 ウェハ加工技術の現状

12.SiCエピタキシャル薄膜成長
 12.1 エピタキシャル薄膜成長の技術課題
 12.2 エピタキシャル薄膜成長技術の現状

13.SiC単結晶ウェハの電気特性制御
 13.1 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
 13.2 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状

14.SiC単結晶ウェハの高品質化
 14.1 マイクロパイプ欠陥の低減
 14.2 貫通転位の低減
 14.3 基底面転位の低減

15.まとめ


【質疑応答】
特典 セミナー資料付、質疑応答時間あり。

セミナー参加費
支払い方法
1. 銀行振込または現金書留にてお願いいたします。

2. 原則として開催日までにお願い致します。

3. 銀行振込の場合は、原則として領収証の発行は致しません。

4. 振り込み手数料はご負担ください。
お知らせ ●各種割引について
1. 同一テーマ1社2名以上同時申込の場合のみ、1名につき5,500円(税込)割引いたします。
2. 大学(教員、学生)、公的機関、医療機関の方は、アカデミック価格33,000円/1名(税込)でご参加できます。(2名同時申込割引は適用されません)
割引適用の場合は、お申し込み後、弊社より確認のご連絡を差し上げます。

●Live配信セミナーの受講について
・ Zoom公式サイトで視聴環境を確認の上、お申し込みください。
・ 開催日前に、視聴用URLとパスワードをメールにてご連絡申し上げます。
・ セミナー配布資料は郵送いたします。お申込みが直前の場合、資料の到着が間に合わないことがあります。
・ 本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。
・ 本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。
・ Zoomのグループにパスワードを設定しています。部外者の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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