開催日時 |
2024/08/05
(月)
13:00~
15:00
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申込み期間 |
~ 2024/08/02
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主催会社 |
S&T出版株式会社
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定員 |
定員数の上限はございません
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受講料 |
31,900円 (Eメール案内希望の方向けの割引価格です) |
開講場所 |
本セミナーは、WEB配信のセミナーです。会場受講はございません。
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講師 |
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金子健太郎 (カネコケンタロウ)
立命館大学 総合科学技術研究機構 教授 RARAフェロー -
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カリキュラム、 プログラム |
1. SiC、GaNの今後の動向
2. 新しいパワーデバイス材料、二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)の可能性
2-1 r-GeO2の可能性
・バンドギャップ4.6 eV
・p型とn型が作製可能(理論予測)
・高い移動度、安価に基板作製可能
2-2 なぜ、r-GeO2の薄膜合成は困難なのか?
2-3 r-GeO2厚膜の合成
2-4 r-GeO2混晶
2-5 世界のr-GeO2研究
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特典 |
割引有
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お知らせ |
<禁止事項>
セミナーで共有・公開・配布される資料、講演内容の静止画、動画、音声のコピー・複製・記録媒体への保存を禁止いたします。
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