【Live配信セミナー】半導体ウェハの結晶欠陥の制御と欠陥検出、評価技術

株式会社　技術情報協会大谷昇氏 ... 60,500円

★ 応力、欠陥を非破壊で分析・評価するには？簡易評価・観察技術を詳解！

このセミナーを受講すると、こんなスキルが身につきます

・SiCパワー半導体に関する基礎知識
・SiCパワー半導体の開発・ビジネスの概況
・SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識
・SiC単結晶ウェハの開発・ビジネスの概況
・ラマン分光分析の基礎、半導体の応力・欠陥分析技術

セミナーの対象者はこんな方です

商社、エンジニアリングメーカー、エンジンメーカー、工業炉メーカー、半導体材料・加工・装置・デバイスメーカーの技術者・技術企画担当者・営業担当者、電気自動車を開発している或いは電気自動車関連の技術に興味のある企業の技術者・技術企画担当者・営業担当者、商社マン

半導体評価・分析技術者、半導体プロセス技術者

会場

講師

プログラム

特典

お知らせ

開催日時

2024/10/24 (木) 10:30～ 16:15 （受付 10:00 ～ )

他の開催日・開催場所（同じ都道府県内）で探す

申込み期間

2024/09/05 ～ 2024/10/23

主催会社

株式会社　技術情報協会

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定員

30名

受講料

60,500円 (各種割引については下段「お知らせ」欄をご参照ください）

開講場所

ZOOMを利用したLive配信
会場での講義は行いません　

講師

大谷昇氏: 関西学院大学　工学部　教授　Ph. D.

足立真理子氏: ナノフォトン(株)　セールス＆アプリケーションズ　シニアエンジニア

谷川智之氏: 大阪大学　大学院工学研究科　電気電子情報通信工学専攻　量子フォトニクス領域　准教授　博士(工学)

カリキュラム、
プログラム

＜１０：３０～１２：００＞

１．半導体ウェハの製造プロセスと欠陥制御技術

関西学院大学　大谷昇氏

【第一部】SiCパワー半導体開発の現状
1.SiCパワー半導体開発の背景
　1.1 環境・エネルギー技術としての位置付け
　1.2 SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト

2.SiCパワー半導体開発の歴史
　2.1 SiCパワー半導体開発の黎明期
　2.2 SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー

3.SiCパワー半導体開発の現状と動向
　3.1 SiCパワー半導体の市場
　3.2 SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
　3.3 SiCパワー半導体関連の最近のニュース

4.SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
　4.1 SiC単結晶とは？
　4.2 SiC単結晶の物性と特長
　4.3 SiC単結晶の各種デバイス応用

5.SiCパワーデバイスの最近の進展
　5.1 SiCパワーデバイスの特長
　5.2 SiCパワーデバイス（SBD、MOSFET）の現状
　5.3 SiCパワーデバイスのシステム応用

【第二部】SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望
6.SiC単結晶のバルク結晶成長
　6.1 SiC単結晶成長の熱力学
　6.2 昇華再結晶法
　6.3 溶液成長法
　6.4 高温CVD法（ガス法）
　6.5 その他成長法

7.SiC単結晶ウェハの加工技術
　7.1 SiC単結晶ウェハの加工プロセス
　7.2 SiC単結晶の切断技術
　7.3 SiC単結晶ウェハの研磨技術

8.SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
　8.1 SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
　8.2 SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向

【第三部】SiC単結晶ウェハ製造の技術課題
9.SiC単結晶のポリタイプ制御
　9.1 SiC単結晶のポリタイプ現象
　9.2 各種ポリタイプの特性
　9.3 SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御

10.SiC単結晶中の拡張欠陥
　10.1 各種拡張欠陥の分類
　10.2 拡張欠陥の評価法

11.SiC単結晶のウェハ加工
　11.1 ウェハ加工の技術課題
　11.2 ウェハ加工技術の現状

12.SiCエピタキシャル薄膜成長
　12.1 エピタキシャル薄膜成長の技術課題
　12.2 エピタキシャル薄膜成長技術の現状

13.SiC単結晶ウェハの電気特性制御
　13.1 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
　13.2 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状

14.SiC単結晶ウェハの高品質化
　14.1 マイクロパイプ欠陥の低減
　14.2 貫通転位の低減
　14.3 基底面転位の低減

【質疑応答】

＜１３：００～１４：３０＞

２．レーザーラマン顕微鏡による半導体ウエハーの応力、欠陥の分析技術

ナノフォトン(株)　足立真理子氏

1.ラマン分光の基本

2.半導体の応力・欠陥分析においてラマン分光でできること
　2.1 組成評価
　2.2 応力評価
　2.3 結晶評価
　2.4 キャリア濃度評価

3.半導体ウエハーのラマン分光分析の課題と技術動向
　3.1 微小領域の分析技術
　3.2 応力評価のポイント
　3.3 ウエハー全面（広範囲）イメージング技術

4.半導体ウエハーのラマンイメージング分析事例
　4.1 Siウエハーの分析
　4.2 SiCウエハーの複合分析
　4.3 GaNウエハーの複合分析
　4.4 ウエハー上の薄膜 (MoS2)　ラマン、フォトルミネッセンス複合分析

【質疑応答】
＜１４：４５～１６：１５＞

３．多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非破壊・三次元観察

大阪大学　谷川智之氏

1.はじめに
　1.1 ワイドギャップ半導体材料の結晶欠陥
　1.2 結晶欠陥の評価解析の必要性

2.結晶欠陥の評価、観察技術

3.多光子励起フォトルミネッセンス法を用いた三次元イメージング
　3.1 三次元イメージングの原理
　3.2 結晶欠陥の非破壊評価
　3.3 結晶欠陥の観察

【質疑応答】

特典

セミナー資料付、各講最後に質疑応答時間あり。

セミナー参加費
支払い方法

1. 銀行振込または現金書留にてお願いいたします。

2. 原則として開催日までにお願い致します。

3. 銀行振込の場合は、原則として領収証の発行は致しません。

4. 振り込み手数料はご負担ください。

お知らせ

●各種割引について
1. 同一テーマ1社2名以上同時申込の場合のみ、1名につき5,500円（税込）割引いたします。
2. 大学（教員、学生）、公的機関、医療機関の方は、「アカデミック価格」33,000円/1名（税込）でご参加いただけます。（2名同時申込割引は適用されません）
割引適用の場合は、お申し込み後、技術情報協会より確認のご連絡を差し上げます。

●Live配信セミナーの受講について
・ Zoom公式サイトで視聴環境を確認の上、お申し込みください。
・開催日が近くなりましたら、視聴用のURLとパスワードをメールにてご連絡申し上げます。
・セミナー配布資料は印刷物を郵送いたします。
・本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。
・本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。
・ Zoomのグループにパスワードを設定しています。部外者の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。