SiCパワー半導体・ウェハ開発の現状と高品質化・低コスト化への課題【LIVE配信】

株式会社R&D支援センター大谷昇氏 55,000円

SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説！

現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造が開始されることがアナウンスされている。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード（SBD）、金属–酸化膜–半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。

本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。

このセミナーを受講すると、こんなスキルが身につきます

習得できる知識

SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得できます。

セミナーの対象者はこんな方です

半導体材料・加工・装置・デバイスメーカーの技術者・技術企画担当者・営業担当者、電気自動車を開発している或いは電気自動車関連の技術に興味のある企業の技術者・技術企画担当者・営業担当者、商社マン

会場

講師

プログラム

特典

お知らせ

開催日時

2024/09/13 (金) 10:30～ 16:30

他の開催日・開催場所（同じ都道府県内）で探す

申込み期間

～ 2024/09/12

主催会社

株式会社R&D支援センター

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定員

30名

受講料

55,000円

開講場所

本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです
【WEB限定セミナー】 ※会社やご自宅でご受講下さい。　
会場での参加はございません。

講師

大谷昇氏: 関西学院大学　工学部　教授　Ph.D.

1960年、東京都生まれ。1984年に東京工業大学修士課程物理学専攻修了。同年、新日本製鐵（株）入社。同社中央研究本部第一技術研究所配属。その後、エレクトロニクス研究所を経て、先端技術研究所に勤務。一貫して、半導体材料・デバイスの研究開発に従事。特に、パワーデバイス用シリコンカーバイド（SiC）半導体の研究開発・事業化に注力。2008年に関西学院大学教授に就任。その間、1991～1993年英国Imperial College London博士課程在学。1993年同課程修了（Ph.D.取得）。1997年日本金属学会技術開発賞受賞。2007年日経BP技術賞受賞。2021年応用物理学会フェロー表彰受賞。

カリキュラム、
プログラム

【10:30～12:00】　SiCパワー半導体開発の現状

１．SiCパワー半導体開発の背景
　　1.1. 環境・エネルギー技術としての位置付け
　　1.2. SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト

２．SiCパワー半導体開発の歴史
　　2.1. SiCパワー半導体開発の黎明期
　　2.2. SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー

３．SiCパワー半導体開発の現状と動向
　　3.1. SiCパワー半導体の市場
　　3.2. SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
　　3.3. SiCパワー半導体関連の最近のニュース

４．SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
　　4.1. SiC単結晶とは？
　　4.2. SiC単結晶の物性と特長
　　4.3. SiC単結晶の各種デバイス応用

５．SiCパワーデバイスの最近の進展
　　5.1. SiCパワーデバイスの特長
　　5.2. SiCパワーデバイス（SBD、MOSFET）の現状
　　5.3. SiCパワーデバイスのシステム応用

【12:00～12:45】　昼食休憩

【12:45～14:20】　SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望

６．SiC単結晶のバルク結晶成長
　　6.1. SiC単結晶成長の熱力学
　　6.2. 昇華再結晶法
　　6.3. 溶液成長法
　　6.4. 高温CVD法（ガス法）
　　6.5. その他成長法

７．SiC単結晶ウェハの加工技術
　　7.1. SiC単結晶ウェハの加工プロセス
　　7.2. SiC単結晶の切断技術
　　7.3. SiC単結晶ウェハの研磨技術

８．SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
　　8.1. SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
　　8.2. SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向

【14:20～14:30】　休憩

【14:30～16:00】　SiC単結晶ウェハ製造の技術課題

９．SiC単結晶のポリタイプ制御
　　9.1. SiC単結晶のポリタイプ現象
　　9.2. 各種ポリタイプの特性
　　9.3. SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御

10. SiC単結晶中の拡張欠陥
　　10.1. 各種拡張欠陥の分類
　　10.2. 拡張欠陥の評価法

11. SiC単結晶のウェハ加工
　　11.1. ウェハ加工の技術課題
　　11.2. ウェハ加工技術の現状

12. SiCエピタキシャル薄膜成長
　　12.1. エピタキシャル薄膜成長の技術課題
　　12.2. エピタキシャル薄膜成長技術の現状

13. SiC単結晶ウェハの電気特性制御
　　13.1. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
　　13.2. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状

14. SiC単結晶ウェハの高品質化
　　14.1. マイクロパイプ欠陥の低減
　　14.2. 貫通転位の低減
　　14.3. 基底面転位の低減

15. まとめ

【16:00～16:30】　Q＆A

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】

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セミナー参加費
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銀行振込みの場合、原則的に領収書は発行いたしません。

領収書をご希望の場合は、当日会場で受講料をお支払いください。

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お知らせ

・資料付【郵送いたします】

・セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。

★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計55,000円（2人目無料）です。

・キャンセルについて
原則としてキャンセルはお受けいたしかねます。
ご都合により出席できなくなった場合は代理の方がご出席ください。

代理の方が見つけられない場合、セミナー開催日より、
営業日で8日前までに限りキャンセルを承ります。
8日を過ぎますと欠席扱いとし、受講料の全額をお支払いいただきます。
ご欠席の場合は後日、セミナーで使用したテキストをお送りいたします。